Ruchliwość

Ruchliwość nośników – w fizyce oraz chemii, wielkość wyrażająca związek między prędkością dryfu elektronów, jonów lub innych nośników ładunku, i zewnętrznym polem elektrycznym. Ruchliwością nazywa się czasem również sam proces ruchu skierowanego (dryfowania) nośników ładunku pod wpływem pola elektrycznego.

W przypadku ciał stałych ruchliwość elektronów oraz dziur (ruchliwość nośników ładunku) zależy od temperatury.

Definicja i jednostka

Ruchliwość definiowana jest jako prędkość dryfu nadawana przez jednostkowe pole elektryczne:

μ = v d / E , {\displaystyle \mu =v_{d}/E,}

gdzie:

μ {\displaystyle \mu } – ruchliwość.

Najczęściej wyraża się ją w m²/Vs.

Relacja Einsteina

Wzór Einsteina wyraża związek między ruchliwością a współczynnikiem dyfuzji:

D μ = k T q , {\displaystyle {\frac {D}{\mu }}={\frac {kT}{q}},}

gdzie:

D {\displaystyle D} – współczynnik dyfuzji,
T {\displaystyle T} – temperatura nośników ładunku,
k {\displaystyle k} stała Boltzmanna,
q {\displaystyle q} – ładunek elektryczny.

Ruchliwość elektronów w gazie

W zmiennym polu elektrycznym skierowana prędkość elektronów nie musi zgadzać się w fazie z natężeniem pola. Tym samym przewodność elektryczna jest wielkością zespoloną. W słabo zjonizowanym gazie ruchliwość opisuje związek Langevina:

μ = ( e E m ) ( i ω + v ) , {\displaystyle \mu =\left({\frac {eE}{m}}\right)(i\omega +v),}

gdzie:

m {\displaystyle m} – masa elektronu,
ω {\displaystyle \omega } częstość kołowa pola elektrycznego,
v {\displaystyle v} – częstotliwość zderzeń elektronów z cząsteczkami.

W stałym polu elektrycznym ruchliwość wynosi:

μ = a 1 e E λ m v , {\displaystyle \mu ={\frac {a_{1}eE\lambda }{mv}},}

gdzie:

λ {\displaystyle \lambda } średnia droga swobodna elektronu,
v {\displaystyle v} – średnia prędkość ruchu cieplnego elektronów,
a 1 {\displaystyle a_{1}} – współczynnik liczbowy rzędu 0,5-1.

Elektrony posiadają znacznie mniejszą masę niż cząsteczki, dlatego podczas zderzeń sprężystych z nimi tracą bardzo małą część energii kinetycznej. W wyniku tego nawet w słabych polach ich energia średnia przewyższa energię cząsteczek obojętnych i rośnie w miarę wzrostu natężenia pola. Przy założeniu, że zderzenia mają charakter sprężysty, otrzymano wzór Dawydowa:

μ = 0 , 75 e λ ( m k T ) 1 2 { 1 + [ 1 + 1 3 ( e E λ k T ) M m ] 1 2 } 1 3 , {\displaystyle \mu =0{,}75e\lambda (mkT)^{-{\frac {1}{2}}}\left\{1+\left[1+{\frac {1}{3}}\left({\frac {eE\lambda }{kT}}\right){\frac {M}{m}}\right]^{\frac {1}{2}}\right\}^{\frac {1}{3}},}

gdzie:

M {\displaystyle M} – masa cząsteczki,
T {\displaystyle T} – temperatura gazu.

Ruchliwość jonów w gazie

W teorii Langevina atomy i jony są traktowane jako kule sztywne, odpychające się przy bezpośrednim zbliżeniu, a poza tym przyciągają się wzajemnie siłami polaryzacyjnymi. Wzór Langevina:

μ = g 1 + M M j ρ ( ϵ 1 ) , {\displaystyle \mu =g{\frac {\sqrt {1+{\frac {M}{M_{j}}}}}{\sqrt {\rho (\epsilon -1)}}},}

gdzie:

ϵ {\displaystyle \epsilon } przenikalność dielektryczna gazu,
M j {\displaystyle M_{j}} – masa jonu,
M {\displaystyle M} – masa atomu,
ρ {\displaystyle \rho } – gęstość gazu,
g {\displaystyle g} – parametr wyrażający względny udział w mechanizmie ruchliwości zderzeń bezpośrednich w stosunku do sił polaryzacji.

Jeśli w gazie są tylko jony powstałe w wyniku jonizacji cząsteczek tego samego gazu, to ich ruchliwość związana jest przede wszystkim z procesem wymiany ładunku jonów.

Ruchliwość nośników w półprzewodniku

Ruchliwość nośników zależy od koncentracji domieszek. W półprzewodnikach do wartości koncentracji domieszek rzędu 1015 cm−3 ruchliwość nośników jest praktycznie stała, a powyżej tej wartości zaczyna maleć.

Ruchliwość zależy także od temperatury. W zakresie temperatur dominuje rozpraszanie nośników na atomach sieci (ruchliwość sieciowa). W takim przypadku ruchliwość maleje przy wzroście temperatury zgodnie z zależnością:

μ = B T κ , {\displaystyle \mu =BT^{-\kappa },}

gdzie: B {\displaystyle B} – jest stałą niezależną od temperatury.

Zobacz też

Bibliografia

  • Encyklopedia fizyki, Państwowe Wydawnictwo Naukowe, Warszawa 1974.
  • Witold Jerzy. Stepowicz: Elementy półprzewodnikowe i układy scalone. Gdańsk: Wydawnictwo Politechniki Gdańskiej, 1993. ISBN 83-86537-14-0.
Kontrola autorytatywna (wielkość fizyczna):
  • LCCN: sh85042223
  • GND: 4151863-9
  • J9U: 987007538456805171