Ferroelektryczna pamięć o dostępie swobodnym : Zobacz też, Przypisy, Linki zewnętrzne Wikipedia, wolna encyklopedia

Ferroelektryczna pamięć o dostępie swobodnym

Ten artykuł od 2009-09 zawiera treści, przy których brakuje odnośników do źródeł.

Należy dodać przypisy do treści niemających odnośników do źródeł. Dodanie listy źródeł bibliograficznych jest problematyczne, ponieważ nie wiadomo, które treści one uźródławiają.
Sprawdź w źródłach: Encyklopedia PWN • Google Books • Google Scholar • Federacja Bibliotek Cyfrowych • BazHum • BazTech • RCIN • Internet Archive (texts / inlibrary)
Dokładniejsze informacje o tym, co należy poprawić, być może znajdują się w dyskusji tego artykułu.
Po wyeliminowaniu niedoskonałości należy usunąć szablon {{Dopracować}} z tego artykułu.

Ferroelektryczna pamięć o dostępie swobodnym, FRAM, FeRAM, F-RAM (od ang. ferroelectric random-access memory) – pamięć nieulotna oparta na nośniku krystalicznym: kryształach roztworu stałego cyrkonianu i tytanianu ołowiu (materiały typu perowskitu). Kryształy te zawierają wewnątrz siatki atomy o dwóch stabilnych pozycjach. Przyłożenie napięcia o odpowiedniej polaryzacji wymusza zmianę pozycji atomu. Odczyt polega na pomiarze pochłanianej energii po kolejnym przyłożeniu napięcia; wiąże się to z koniecznością regeneracji zapisu w komórce.

Ferroelektryczne pamięci o dostępie swobodnym umożliwiają adresowanie, zapisywanie i odczytywanie pojedynczych słów – w odróżnieniu od pamięci flash modyfikacja zapisu nie wymaga uprzedniego kasowania całych bloków pamięci^[1].

Zalety:

mały pobór energii
bardzo duża trwałość (10¹²–10¹⁵ cykli zapisu^[2])
bardzo duża szybkość zapisu (rzędu nanosekund)
stabilność w czasie (∼40 lat w temperaturze 75 °C, ~150 lat w temperaturze 65 °C)

Wady:

duży rozmiar komórki
kłopotliwe odświeżanie
mała kompatybilność z technologią CMOS
cena

Pionierami tego typu pamięci były współpracujące ze sobą firmy Texas Instruments i Ramtron International.

W roku 2013 liderami w produkcji pamięci FRAM są firmy Ramtron, Fujitsu i Lapis. Pojemność pamięci sięga 2 Mb (np. MB85RS2MT firmy Fujitsu Semiconductor)^[1]. Dostępne są pamięci z interfejsem szeregowym SPI (do 40 MHz), I²C (do 3 MHz) oraz równoległym (dostęp od 20 ns).

Zobacz też

Przypisy

↑ ^a ^b Chris Sulivan. Przegląd oferty producentów pamięci nieulotnych FRAM. „Elektronika Praktyczna”. 9/2013, s. 71, AVt-Korporacja sp. zoo. ISSN 1230-3526.
↑ Strona Texas Instruments.