Arsenek galu

Arsenek galu

Komórka elementarna Próbki kryształów
Nazewnictwo Nomenklatura systematyczna (IUPAC) konst. arsenek galu
Ogólne informacje
Wzór sumaryczny	GaAs
Masa molowa	144,64 g/mol
Wygląd	szare regularne kryształy[1]
Identyfikacja
Numer CAS	1303-00-0
PubChem	14770
SMILES [Ga]#[As]
InChI InChI=1S/As.Ga InChIKey JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N
Właściwości Gęstość 5,3176 g/cm³[1]; ciało stałe Rozpuszczalność w wodzie poniżej 1 mg/ml (20 °C)[2] Temperatura topnienia 1238 °C[1]
Niebezpieczeństwa Globalnie zharmonizowany system klasyfikacji i oznakowania chemikaliów Na podstawie podanego źródła[3] Niebezpieczeństwo Zwroty H H350, H372 Zwroty P P201, P308+P313 NFPA 704 Na podstawie podanego źródła[4] 0 2 0   Numer RTECS LW8800000 Dawka śmiertelna LD50 4700 mg/kg (mysz, dootrzewnowo)[3]
Jeżeli nie podano inaczej, dane dotyczą stanu standardowego (25 °C, 1000 hPa)
Multimedia w Wikimedia Commons

Arsenek galu, GaAs – nieorganiczny związek chemiczny galu i arsenu.

Związek ten jest otrzymywany syntetycznie na potrzeby m.in. przemysłu elektronicznego ze względu na swoje właściwości półprzewodnikowe. Drugi obecnie po krzemie (Si) materiał najczęściej wykorzystywany w mikro- i optoelektronice oraz technice mikrofalowej.

Arsenek galu wykazuje większą od krzemu odporność na działanie promieniowania elektromagnetycznego. Urządzenia elektroniczne oparte na GaAs mogą pracować z częstotliwościami przekraczającymi 250 GHz. Parametr półprzewodnictwa – przerwa energetyczna (w temperaturze 300 K) wynosi 1,424 eV.

Zastosowanie

Arsenek galu stosuje się m.in. w produkcji:

• szybko reagujących cyfrowych i analogowych układów scalonych
• diod
• laserów
• baterii słonecznych
• fotodetektorów
• czujników pola magnetycznego
• sond biomedycznych

Przypisy